退火爐是在半導(dǎo)體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理是針對(duì)不同的效果而設(shè)計(jì)的。可以加熱晶片以激活摻雜劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長(zhǎng)的薄膜的狀態(tài)，修復(fù)注入的損傷，移動(dòng)摻雜劑或?qū)诫s劑從一個(gè)薄膜轉(zhuǎn)移到另一個(gè)薄膜或從薄膜進(jìn)入晶圓襯底。

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優(yōu)點(diǎn)
1、使用方便，習(xí)慣生產(chǎn)環(huán)境；
2、爐膛內(nèi)升溫敏捷且各段溫度均勻；
3、爐體大修期確保五年以上，且爐門(mén)、燒嘴等易損部件維修方便。
缺點(diǎn)
1、設(shè)備耗油量大，效率低，環(huán)境污染嚴(yán)重；
2、由推鋼軌道等引起的毛病多，維修困難，影響了生產(chǎn)；
3、自動(dòng)化控制程度低，廢品率高，一般在12%擺布。